在会议室，李飞解释手机射频PA在工艺材料上可分为CMOS和GAas这两种工艺的区别…，以及，在未来市场的分析…。
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不过，李飞并没有说出，在21世纪，2G手机是完全使用CMOS工艺的射频PA芯片，在3G手机上CMOS和Gaas各为一半，但是，由于CMOS工艺的问题，在4G和5G手机上，还处研发阶段...。
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那么，根据重生前的记忆，CMOS工艺的射频PA是在2006年研发成功，真正地大规模商用，大约是在2009年，在这之前，Gaas工艺一直是射频PA的主流，
也就是说，现在推出CMOS工艺的手机射频PA是有非常大的市场。并且在2G和3G手机市场上有绝对的优势，要知道，即使在2020年，2G手机销售量还是达到了2亿台！
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当然，除了在手机射频PA的CMOS和GAas这两种工艺，还有其它的工艺BiCMOS…
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听完李飞对手机射频PA的工艺解释后...，员工们发自内心的惊叹：李工可真是芯片技术研发大神，不光熟悉电子电路技术研发，对芯片工艺也是非常精通…！！！
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因为李飞所说的手机射频PA的CMOS和GAas这两种工艺，是21世纪所研发的射频PA芯片工艺技术资料。
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确定了射频PA的工艺后，接下来，就是确定手机射频PA的内部电路模块：前级电路，一缓冲级、中间放大级、末级功率放大级…。在写字板上写出手机射频PA的内部电路模块，然后，李飞大概地说出手机RF射频功率放大器工作原理：
“从射频收发芯片输出GSM射频发射信号和DCS 射频发射中频信号，经过滤波电路和阻抗匹配电路，输入到 RF射频功率放大器PA的前级电路，不过，由于射频收发芯片输出发射中频信号功率是很小，需要经过RF射频功率放大器一系列的放大，一缓冲级、中间放大级、末级功率放大级，获得足够的射频功率以后，才能馈送到天线上发射出去。”
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“而手机RF射频PA的发射功率可分为19个等级（0.2W-2W），是通过手机基带的自动功率控制APC信号通过电压来实现对PA 的控制，用于控制不同的功率等级。其原因就是根据手机的工作场景，手机基带芯片根据接收的信号强度，去确定手机发射的距离，然后进行功率自动控制，送出适当的发射等级信号，从而来决定射频PA的功率…。”
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说完手机RF射频PA的工作原理后，李飞就确定大深市芯片产业有限公司研发手机RF射频功率放大器的参数：
1 纯正CMOS工艺，
2 GSM功率输出：33.5dBm
3 DCS功率输出：31.0dBm
4 GSM发射功率效率：45%
5 DCS发射功率效率：45%。
6 封装类型 LGA， 7.0mm x7.0mm x 1.2mm
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确定了射频PA的各项参数后，那么，就要开始进行射频PA电路设计了，先进行前端的设计，是对射频PA的芯片内部模块进行合理地划分功能，以及确定各个模块的功能指标，例如：前级电路，一缓冲级、中间放大级、末级功率放大级…
再输入硬件描写语言，以代码来描述去实现模块功能，并生成电路图和状态转移图，然后再用Cadence的Verilog－XL，Cadence的NC-Verilog进行仿真，确定模块电路设计是否正确，
接着，用Cadence的 PKS输入硬件描述语言转换成门级网络表Netlist，去确定电路的面积，时序等目标参数上达到的标准，确定相关参数后，再一次进行仿真，确定模块电路是否无误，
然后，进行后端设计的数据准备，是确定前期逻辑设计用硬件描述语言生成的门级网络表Netlist，以及模块电路与芯片制造工厂提供的标准单元、宏单元和I/O Pad的库文件相等一致...
再进行芯片布局，芯片布线...
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当然，在设计过程里，除了对射频PA电路功能仿真，去验证制定的参数…，还是需要对射频PA电路进行各种的仿真，例如：电磁干扰EMI，因为射频PA的工作电流是非常大，最高可高达2W，那么，在射频PA高功率工作状态之下，会产生电磁波，干扰芯片内部周围的电子电路，
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由于，李飞在设计CMOS工艺的RF射频功率放大器有丰富的经验，在一个月内完成了芯片设计，并在各项参数上，完全超出了当初制定的参数…
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然后，输出价格制造文件，交给台级电进行生产，不过，当邮件发给台级电客户总监，一个小时后的时间，台级电客户总监打电话过来，语气尊敬地问道：
“李工，你发的射频PA芯片制造文件，我收到了…”
李飞客气地说道：那么，就麻烦你们了，这个项目比较急，希望在二周时间内完成RF射频PA的样品…
台级电客户总监在电话里支支吾吾，说话的语气充满了疑惑：李工，我看到了你们公司射频PA工艺要求是CMOS，是不是搞错了？
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